多弧離子鍍膜技術(shù)
磁控濺射鍍膜技術(shù)
EB鍍膜技術(shù)

致密性

附著力

光潔度

生產(chǎn)性

涂層多樣性

極好

極好

一般

極好

良好
一般

一般

良好

一般

極好
良好

良好

極好

良好

一般

多弧離子鍍膜技術(shù)

技術(shù)簡介

多弧離子鍍的基本原理：把金屬蒸發(fā)源作為陰極，通過它與陽級殼體之間的弧光放電，使靶材蒸發(fā)并離化，形成空間等離子體，對工件進(jìn)行沉積鍍膜.

優(yōu)點

1.極高的離化率，為基體成膜提供極高的能量，使涂層具有極高的致密性及附著力。

2.沉積速度快，具有極好的生產(chǎn)性。

3.繞鍍性好，針對形狀較復(fù)雜產(chǎn)品優(yōu)勢明顯。

缺點

1.弧源蒸發(fā)過程中伴隨的液滴飛濺使涂層表面較粗糙

2.鍍膜過程中溫度較高，對于不耐溫產(chǎn)品的生產(chǎn)有局限性

應(yīng)用產(chǎn)品

刀具、熱成型模具，五金模具等、陶瓷金屬化、各類汽車及其他零部件產(chǎn)品

技術(shù)特點

多弧離子鍍作為一種真空鍍膜技術(shù)，因其具有極高的離化率使所生產(chǎn)涂層具有極好的致密性與附著力。然而因弧源蒸發(fā)過程中液滴飛濺所引起的涂層表面大顆粒富集問題也十分明顯，涂層表面粗糙度較差。

我司通過大量實驗驗證及設(shè)備調(diào)整，開發(fā)出新一代陰極弧源，在大幅度提高靶材利用率的同時（70%以上），對涂層大液滴問題進(jìn)行了有效的控制，使涂層粗糙度降低一倍以上。

等離子體增強磁控濺射鍍膜技術(shù)

技術(shù)簡介

磁控濺射的基本原理：使電子在電場的作用下加速飛向基片并與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。

優(yōu)點

1.擁有良好的涂層表面光潔度。

2.為涂層工藝的精密控制提供可能。

3.可在低溫環(huán)境成膜。

4.涂層的多樣性選擇上具有明顯優(yōu)勢。

缺點

1.與其他技術(shù)相比離化率較低

2.涂層附著力及繞鍍性較差

應(yīng)用產(chǎn)品

微型刀具、塑膠模具、鏡面模具、其他功能薄膜產(chǎn)品

技術(shù)特點

傳統(tǒng)磁控濺射技術(shù)相比多弧離子鍍技術(shù)主要的不足在于因其較低的離化率導(dǎo)致涂層不致密，與基體的附著力一般。我司使用由美國西南研究院開發(fā)的等離子體增強磁控濺射技術(shù)（PEMS)，在傳統(tǒng)的磁控濺射基礎(chǔ)上大幅度提高了離化率，在保證涂層粗糙度良好的同時使涂層更加致密，消除涂層柱狀晶結(jié)構(gòu)，為光潔度高要求的硬質(zhì)膜提供了可能。

此外，傳統(tǒng)真空鍍膜厚度普遍控制在10um以內(nèi)以保證涂層不會因為應(yīng)力問題引起剝落，應(yīng)用等離子增強磁控濺射技術(shù)（PEMS）可極大程度消除涂層的應(yīng)力，使涂層厚的大幅度增加提供可能，現(xiàn)應(yīng)用PEMS技術(shù)可做單層結(jié)構(gòu)涂層厚度達(dá)490um，多層結(jié)構(gòu)涂層厚度達(dá)560um。

EB鏡面鍍膜技術(shù)